Gesinterte Titanpulver-Leiterelektroden für die Halbleiterindustrie
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Gesinterte Titanpulver-Leiterelektroden für die Halbleiterindustrie

Gesinterte Titanpulver-Leiterelektroden für die Halbleiterindustrie

Überlegene elektrische Leitfähigkeit

Verbessertes Wärmemanagement

Prozess-Spezifische Anpassung

Materialreinheitssicherung

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Produkteinführung

Die kundenspezifisch konfigurierten Elektroden aus gesintertem Titanpulver für Halbleiteranwendungen wurden für kritische Halbleiterfertigungsprozesse entwickelt und kombinieren fortschrittliche Pulvermetallurgie mit Präzisionsschweißtechnologie. Die gesinterte Titanpulvermatrix weist kontrollierte Porositätseigenschaften auf, die für eine gleichmäßige Stromverteilung optimiert sind und gleichzeitig die strukturelle Integrität unter thermischen Wechselbedingungen bewahren. Proprietäre Sinterprotokolle stellen die metallurgische Verbindung zwischen Titanpartikeln sicher, ohne die inhärente Korrosionsbeständigkeit des Materials zu beeinträchtigen.

 

Die integrierte Anschlussverbindung besteht aus hochreinem-Knettitan, das durch Schutzgasschweißtechniken verbunden wird, um die Eigenschaften des Grundmaterials zu bewahren. Diese Hybridkonstruktion liefert außergewöhnliche elektrische Leistung bei plasmabasierten Halbleiterprozessen, einschließlich Trockenätzen, chemischer Gasphasenabscheidung und Ionenstrahlimplantation. Die Oberflächenveredelung entspricht den Reinheitsstandards für Halbleiter- und verfügt über Passivierungsschichten, die darauf zugeschnitten sind, die Bildung von Partikeln in kontrollierten Umgebungen zu verhindern.

 

Produktspezifikationen
Material

GR1 Titan

Größe

Maßgeschneidert nach Zeichnung

Technik

Sintern

 

Produktmerkmale
Sintered Titanium Powder Conductor Electrodes for Semiconductor Industry 4

 

Überlegene elektrische Leitfähigkeit - Das präzise kontrollierte Porositätsprofil in der gesinterten Titanmatrix sorgt für optimale Elektronenflusseigenschaften und behält gleichzeitig die strukturelle Stabilität unter Hochstrombedingungen bei.

Verbessertes Wärmemanagement - Die Architektur mit abgestufter Dichte zwischen gesinterten und massiven Titanabschnitten bietet außergewöhnliche Wärmeableitungseigenschaften, die für nachhaltige Halbleiterverarbeitungsvorgänge entscheidend sind.

Prozess-Spezifische Anpassung - Die maßgeschneiderte Porenmorphologie und -verteilung ermöglicht Ingenieuren die Feinabstimmung-der elektrischen/thermischen Leistungsmerkmale für spezifische Anforderungen bei der Halbleiterfertigung.

 

Sintered Titanium Powder Conductor Electrodes for Semiconductor Industry 1

 

Materialreinheitssicherung - Hoch-Protokolle zum Sintern bewahren die intrinsische Korrosionsbeständigkeit von Titan der Güteklasse 1 und verhindern so Kontaminationsrisiken in empfindlichen Halbleiterumgebungen.

Mechanische Zuverlässigkeit - Die metallurgische Verbindung zwischen gesinterten und bearbeiteten Titankomponenten weist bessere Spannungsverteilungseigenschaften auf als herkömmliche mechanische Verbindungen.

Kompatibilität mit der Oberflächentechnik - Spezielle Veredelungsbehandlungen ermöglichen eine nahtlose Integration mit Standardschnittstellen für Halbleiterwerkzeuge und sorgen gleichzeitig für ultrasaubere Oberflächenstandards.

Anwendungen
Steps of Dry Etching (Plasma Etching) and Wet Etching

Plasmaätzsysteme

Wesentliche Komponenten für RF-betriebene Plasmaätzer, die ein präzises anisotropes Ätzen von Siliziumwafern mit minimalem Kontaminationsrisiko ermöglichen

Ionenimplantationsausrüstung

Kritische Ladungsableitungselemente in Strahlführungssystemen, die während Dotierungsprozessen stabile Ionenstrahlbahnen aufrechterhalten

Kammern für chemische Gasphasenabscheidung (CVD).

Hochreine Elektroden unterstützen eine gleichmäßige Filmabscheidung auf Halbleitersubstraten durch kontrollierte Plasmaerzeugung

 

Wafer-Prüf- und Testschnittstellen

Zuverlässige stromführende Kontakte für fortschrittliche elektrische Testsysteme auf Waferebene-, die nicht-kontaminierende Materialien erfordern

 

Fortschrittliche Verpackungsverbindungen

Langlebige Verbindungsschnittstellen für 2,5D/3D-IC-Packaging-Anwendungen, die eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit erfordern

 

Vakuumprozesswerkzeuge

Strukturkomponenten in Halbleitervakuumsystemen, die elektrische Funktionalität mit Ultrahochvakuumkompatibilität kombinieren

 

Erforschen Sie -Qualitätshalbleiterausrüstung

Anpassbare Elektrodenlösungen für Versuchsaufbauten zur Untersuchung neuartiger Halbleitermaterialien und -prozesse

Reshoring Semiconductor Manufacturing: Addressing the Workforce Challenge

 

 

 

 

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