Produkte
Gesinterte Titanpulver-Leiterelektroden für die Halbleiterindustrie
Verbessertes Wärmemanagement
Prozess-Spezifische Anpassung
Materialreinheitssicherung
Die kundenspezifisch konfigurierten Elektroden aus gesintertem Titanpulver für Halbleiteranwendungen wurden für kritische Halbleiterfertigungsprozesse entwickelt und kombinieren fortschrittliche Pulvermetallurgie mit Präzisionsschweißtechnologie. Die gesinterte Titanpulvermatrix weist kontrollierte Porositätseigenschaften auf, die für eine gleichmäßige Stromverteilung optimiert sind und gleichzeitig die strukturelle Integrität unter thermischen Wechselbedingungen bewahren. Proprietäre Sinterprotokolle stellen die metallurgische Verbindung zwischen Titanpartikeln sicher, ohne die inhärente Korrosionsbeständigkeit des Materials zu beeinträchtigen.
Die integrierte Anschlussverbindung besteht aus hochreinem-Knettitan, das durch Schutzgasschweißtechniken verbunden wird, um die Eigenschaften des Grundmaterials zu bewahren. Diese Hybridkonstruktion liefert außergewöhnliche elektrische Leistung bei plasmabasierten Halbleiterprozessen, einschließlich Trockenätzen, chemischer Gasphasenabscheidung und Ionenstrahlimplantation. Die Oberflächenveredelung entspricht den Reinheitsstandards für Halbleiter- und verfügt über Passivierungsschichten, die darauf zugeschnitten sind, die Bildung von Partikeln in kontrollierten Umgebungen zu verhindern.
Produktspezifikationen
| Material |
GR1 Titan |
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Größe |
Maßgeschneidert nach Zeichnung |
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Technik |
Sintern |
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Produktmerkmale

Überlegene elektrische Leitfähigkeit - Das präzise kontrollierte Porositätsprofil in der gesinterten Titanmatrix sorgt für optimale Elektronenflusseigenschaften und behält gleichzeitig die strukturelle Stabilität unter Hochstrombedingungen bei.
Verbessertes Wärmemanagement - Die Architektur mit abgestufter Dichte zwischen gesinterten und massiven Titanabschnitten bietet außergewöhnliche Wärmeableitungseigenschaften, die für nachhaltige Halbleiterverarbeitungsvorgänge entscheidend sind.
Prozess-Spezifische Anpassung - Die maßgeschneiderte Porenmorphologie und -verteilung ermöglicht Ingenieuren die Feinabstimmung-der elektrischen/thermischen Leistungsmerkmale für spezifische Anforderungen bei der Halbleiterfertigung.

Materialreinheitssicherung - Hoch-Protokolle zum Sintern bewahren die intrinsische Korrosionsbeständigkeit von Titan der Güteklasse 1 und verhindern so Kontaminationsrisiken in empfindlichen Halbleiterumgebungen.
Mechanische Zuverlässigkeit - Die metallurgische Verbindung zwischen gesinterten und bearbeiteten Titankomponenten weist bessere Spannungsverteilungseigenschaften auf als herkömmliche mechanische Verbindungen.
Kompatibilität mit der Oberflächentechnik - Spezielle Veredelungsbehandlungen ermöglichen eine nahtlose Integration mit Standardschnittstellen für Halbleiterwerkzeuge und sorgen gleichzeitig für ultrasaubere Oberflächenstandards.
Anwendungen
Plasmaätzsysteme
Wesentliche Komponenten für RF-betriebene Plasmaätzer, die ein präzises anisotropes Ätzen von Siliziumwafern mit minimalem Kontaminationsrisiko ermöglichen
Ionenimplantationsausrüstung
Kritische Ladungsableitungselemente in Strahlführungssystemen, die während Dotierungsprozessen stabile Ionenstrahlbahnen aufrechterhalten
Kammern für chemische Gasphasenabscheidung (CVD).
Hochreine Elektroden unterstützen eine gleichmäßige Filmabscheidung auf Halbleitersubstraten durch kontrollierte Plasmaerzeugung
Wafer-Prüf- und Testschnittstellen
Zuverlässige stromführende Kontakte für fortschrittliche elektrische Testsysteme auf Waferebene-, die nicht-kontaminierende Materialien erfordern
Fortschrittliche Verpackungsverbindungen
Langlebige Verbindungsschnittstellen für 2,5D/3D-IC-Packaging-Anwendungen, die eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit erfordern
Vakuumprozesswerkzeuge
Strukturkomponenten in Halbleitervakuumsystemen, die elektrische Funktionalität mit Ultrahochvakuumkompatibilität kombinieren
Erforschen Sie -Qualitätshalbleiterausrüstung
Anpassbare Elektrodenlösungen für Versuchsaufbauten zur Untersuchung neuartiger Halbleitermaterialien und -prozesse

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