5um gesinterter Kupferpulver-Getter zur Absorption von Verunreinigungsgasen
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5um gesinterter Kupferpulver-Getter zur Absorption von Verunreinigungsgasen

5um gesinterter Kupferpulver-Getter zur Absorption von Verunreinigungsgasen

Hoch-Effiziente Gasadsorption‌

Thermisch stabile Leistung‌

Raum-Temperaturaktivierung‌

Mechanische Robustheit‌

Herstellungskompatibilität‌

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Produkteinführung

Der 5-um-Getter aus gesintertem Kupferpulver von TOPTITECH zur Absorption von Verunreinigungsgasen liefert hervorragende Ergebnisse

Gasadsorptionsleistung durch präzisionsgefertigte-poröse Kupfermatrixstrukturen.

Dieser Getter wird durch Verdichtung und Vakuumsinterverfahren hergestellt und bildet ein dreidimensionales, miteinander verbundenes Porennetzwerk mit optimierter Tortuosität und einem optimierten Verhältnis von Oberfläche zu Volumen. Der Kupferpulvermetallurgieprozess gewährleistet eine gleichmäßige Porengrößenverteilung und mechanische Stabilität und behält gleichzeitig eine hohe Wärmeleitfähigkeit für eine effiziente Wärmeableitung bei exothermen Adsorptionsreaktionen bei. Seine Konfiguration mit 5 mm Durchmesser und 2 mm Dicke bietet optimale geometrische Kompatibilität für die Integration in elektronische Vakuumgeräte, hermetische Verpackungen und Gasreinigungssysteme, bei denen die aktive Gasentfernung von entscheidender Bedeutung ist.

 

Dieser Getter weist eine außergewöhnliche Chemisorptionskapazität für reaktive Gase, einschließlich H₂, O₂, CO, CO₂ und Wasserdampf, auf und ist besonders wirksam in Umgebungen mit niedrigem Druck. Die gesinterte Kupfermikrostruktur erreicht eine stabile Wasserstoffabsorption durch dissoziative Adsorptionsmechanismen, ohne dass eine Aktivierungserwärmung erforderlich ist. Die durch Oberflächendiffusion-verstärkte Adsorptionskinetik ermöglicht ein schnelles Einfangen von Verunreinigungsgasen bei Betrieb bei Raumtemperatur. Bei der Installation in Vakuumsystemen hält der Getter aktiv Ultrahochvakuumbedingungen aufrecht, indem er kontinuierlich ausgasende Produkte von internen Komponenten und Materialien abfängt. Seine kupferbasierte Zusammensetzung gewährleistet die Kompatibilität mit Standard-Vakuumlöt- und -schweißverfahren und widersteht gleichzeitig Leistungseinbußen durch typische thermische Zyklen bei der Herstellung.

 

Produktspezifikationen
Material

Kupfer

Filtergrad/Porengröße

5 um

Durchmesser

5mm

Dicke

2mm

Technik

Form- und Vakuumsinterverfahren

 

Produktmerkmale
10um Sintered Copper Powder Getter For Impurity Gas Absorption 2

 

Hoch-Effiziente Gasadsorption‌

Die präzise kontrollierte poröse Kupfermikrostruktur ermöglicht eine schnelle Physisorption und Chemisorption reaktiver Gase (H₂, O₂, CO, CO₂, H₂O) mit optimierter Oberflächendiffusionskinetik und gewährleistet so eine kontinuierliche Gasspülung in Ultrahochvakuumumgebungen.

Thermisch stabile Leistung‌

Die vakuum-gesinterte Kupfermatrix behält die strukturelle Integrität und Adsorptionskapazität über thermische Zyklen hinweg bei und verhindert so Leistungseinbußen durch Ausgasung oder thermische Belastung in hermetischen Systemen.

Raum-Temperaturaktivierung‌

Im Gegensatz zu legierungsbasierten Gettern, die eine Hochtemperaturaktivierung erfordern, erreicht die Kupferpulvermatrix eine sofortige dissoziative Wasserstoffadsorption bei Umgebungsbedingungen und reduziert so den Energieverbrauch bei Vakuumanwendungen.

 

10um Sintered Copper Powder Getter For Impurity Gas Absorption 3

Mechanische Robustheit‌

Die-Verdichtungs- und Sinterprozesse ergeben eine starre, riss-beständige Struktur mit gleichmäßiger Porenverteilung, die das Ablösen von Partikeln während der Handhabung oder Vibrationen in Betriebsumgebungen verhindert.

Herstellungskompatibilität‌

Die Zusammensetzung aus reinem Kupfer ermöglicht das direkte Löten oder Schweißen in Vakuumbaugruppen ohne Kontaminationsrisiko, während der standardisierte Durchmesser von 5 mm und die Dicke von 2 mm eine nahtlose Integration in Mikrowellenröhren und elektronische Gehäuse ermöglichen.

Anwendungen

Hochfrequenz-Vakuumelektronik‌

In Klystron- und Magnetron-Hohlräume eingebettete Kupfergetter halten ein Ultrahochvakuum aufrecht (<10⁻⁶ Torr) by chemisorbing hydrogen released from hot cathodes during RF operation, preventing electron scattering.

Herstellung kryogener Halbleiter‌

Wird in Molekularstrahlepitaxie-Kammern (MBE) montiert, um Wasserdampf und Kohlenwasserstoffe aufzufangen, die während des Temperaturwechsels zwischen 300 K und 800 K von den Kammerwänden desorbieren.

Überwachung des Kühlmittels von Kernreaktoren‌

Poröse Kupferpatronen in Schwerwasserreaktoren (PHWR) fangen selektiv tritiierte Wasserstoffisotope (HT, T₂) aus Moderatorgasströmen durch Isotopenaustauschreaktionen ein.

Aushärtung von Verbundwerkstoffen für die Luft- und Raumfahrt

Integriert in Autoklaven-Vakuumverpackungssysteme, um Sauerstoff und flüchtige Stoffe zu adsorbieren, die beim Aushärten des Kohlefaser-Prepregs bei 177 Grad freigesetzt werden, und so die Bildung von Hohlräumen zu minimieren.

Lithium--Ionenbatterie-Trockenräume‌

 

Kupfer-Getterplatten in Elektroden-Trockenkammern (<1% RH) irreversibly bind residual moisture that escapes conventional desiccant systems during electrode calendaring.

Autoclave - Composites One - Composites One

 

 

Hauptunterschiede: Gesinterte Kupfer- und Titanpulver-Getter ‌

  • Gasselektivität‌

Kupfer: Zielt hauptsächlich auf H₂, H₂O und CO durch Oberflächenchemisorption ab, mit vernachlässigbarer Stickstoffwechselwirkung.

Titan: Reagiert exotherm mit N₂, O₂ und Kohlenwasserstoffen über Massendiffusion und bildet stabile Nitride/Oxide.

 

  • Aktivierungsmechanismus‌

Kupfer: Betrieb bei Raumtemperatur, basierend auf durch Physisorption-aktivierten Stellen.

Titan: Erfordert eine thermische Aktivierung bei 400–600 Grad, um oberflächliche Oxidschichten aufzubrechen.

 

10um Sintered Copper Powder Getter For Impurity Gas Absorption 2
Getter aus gesintertem Kupferpulver
Sample--Titanium getters 2
Getter aus gesintertem Titanpulver

 

  • Mikrostrukturelle Stabilität‌

Kupfer: Behält die offene Porosität (65–72 %) während der Wasserstoffabsorption bei<3% volumetric swelling.

Titan: Durchläuft bei hohen Temperaturen einen kristallinen Phasenübergang (→), wodurch sich die Porenmorphologie verändert.

  • Industrieller Einsatz‌

Kupfer: Aufgrund der nicht-pyrophoren Handhabung bevorzugt in der HF-Vakuumelektronik und hermetischen Kühlung.

Titan: Dominiert Ultra-Hochvakuumsysteme (UHV) wie Teilchenbeschleuniger, bei denen die Stickstoffwäsche von entscheidender Bedeutung ist.

  • Fehlermodi‌

Kupfer: Die Kapazität nimmt durch Karbonatbildung an der Oberfläche in CO₂{0}}reichen Umgebungen ab.

Titan: Die fortschreitende Passivierung erfolgt, wenn die Reaktionsfronten tiefer in die Partikel eindringen.

 

Dieser Kontrast verdeutlicht, wie die Materialauswahl von der Gaszusammensetzung, Temperaturbeschränkungen und Systemwartungsprotokollen abhängt – Kupfer zeichnet sich durch die Verwaltung reaktiver Umgebungsgase aus, während Titan sich für Hochenergie-Vakuumanwendungen eignet.

 

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